A系列部分耗尽硅面垒型辐射探测器

订购时必须指定安装座。

A  这是一个“环形安装座”；即硅晶片在其环上，没有输出连接器。这种不常使用的布局可应特殊要求提供。

B  背面的Microdot连接器。

C  背面的BNC连接器。

尺寸以毫米为单位。 

对于1500或2000 mm深的探测器，在Y尺寸上增加1.5 mm。

探测器尺寸 (mm2)	W (标称)	A型		B型 后Microdot			C型 后BNC
		X	Y	X	Y	Z	X	Y	Z
025	5.6	15.2	3.7	16.7	12.3	7.1	16.7	12.3	15.9
050	8.0	15.2	3.7	16.7	12.3	7.1	16.7	12.3	15.9
100	11.3	22.0	3.7	23.6	12.3	7.1	23.6	12.3	15.9
150	13.8	22.0	3.7	23.6	12.3	7.1	23.6	12.3	15.9
300	19.5	27.1	3.7	28.6	12.3	7.1	28.6	12.3	15.9
450	23.9	30.5	3.7	32.0	12.3	7.1	32.0	12.3	15.9
公差	±0.5	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3	±0.3

订购时必须指定安装座

除非另有说明，否则提供B安装座。

**型号的前三位数字表示使用标准ORTEC电子设备和0.5-μs整形时间常数时，²⁴¹Am，5.486-MeV α的总系统分辨率FWHM。β分辨率近似于脉冲发生器宽度FWHM。

§需要特殊订单。

注:兼容Alpha套件的探测器:ENS-系列(购买新系统时含安装和测试)、ENS8系列(新系统的8包备件)、B接口的ULTRA-AS和低本底R系列探测器型号保证与Alpha套件产品(DUO、MEGA、ARIA、ENSEMBLE)兼容。所有其他探测器都需要经过特殊批准以保证其兼容性及指标规格。

有效面积 (mm2)	保证分辨率* (keV)		最小耗尽深度 1000 µm
	α	β	型号.
25	13 14	6 6	A-013-025-1000 A-014-025-1000
50	14 15	7 8	A-014-050-1000 A-015-050-1000
100	14 15	7 8	A- A-
150	15 16	9 10	A- A-
300	17 18	13 14	A- A-
450	18 19	13 14	A- A-

有效面积 (mm2)	保证分辨率* (keV)		最小耗尽深度 1500 µm§
	α	β	型号.
25	14 16	9 11	A-014-025-1500 A-016-025-1500
50	16 18	11 13	A-016-050-1500 A-018-050-1500
100	17 19	12 14	A- A-
150	18 20	13 15	A- A-
300	20 23	15 18	A- A-
450	21 26	16 21	A- A-

有效面积 (mm2)	保证分辨率* (keV)		最小耗尽深度 2000 µm§
	α	β	型号.
25	16	11	A-016-025-2000
50	17	12	A-017-050-2000
100	18	13	A-
150	19	14	A-
300	22	17	A-